Журнал Труды НИИСИТом 4 № 1К списку номеров журналаI. МОДЕЛИРОВАНИЕ, ТЕХНОЛОГИЯ, ПРОИЗВОДСТВО В МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕПроблемы разработки и реализации базовых техно-логических процессов на технологическом комплексе НИИСИ РАНА.В. Аникин, С.В. Демин, А.А. СтоляровАннотация: Изложена обобщенная схема разработки и реализации базовых технологических процессов в условиях реального мелкосерийного производства высокосложных микросхем в НИИСИ РАН. Введены новые технологические и про-изводственные понятия и представлено подробное содержание этапов разработки технологических маршрутов и отдельных операций, приведены примеры правил проектирования и основного средства мониторинга процесса. Ключевые слова: микросхема, технологический комплекс, проектирование, мониторинг Конструктивно-технологический базис библиотеки элементов с гарантированным уровнем радиационной стойкости не менее 1 МрадС.А. Морозов, С.А. Соколов, А.С. Фирсов, М.Г. ЧистяковАннотация: В работе проведено исследование и разработка конструктивно-технологического базиса биб-лиотеки элементов для проектирования СБИС в рамках базовой КНИ-технологии с проектными нормами 0,25 мкм и гарантированным уровнем радиационной стойкости не менее 1 Мрад. Созданная на основе разработанного базиса библиотека предназначена для проектирования радиационно-стойких СБИС для использования в космосе. Ключевые слова: базисбиблиотеки элементов, радиационная устойчивость, СБИС Разработка радиационно-стойких микросхем и микромодулей статической памятиС.А. Морозов, С.А.СоколовАннотация: В статье рассмотрены методы разработки радиационно-стойких микросхем и многокри-стальных модулей статической памяти емкостью от 1 Мбит до 32 Мбит для КНИ-технологии с проектными нормами 0,35 мкм и 0,25 мкм. Рассмотрены результаты моделирования статического запаса помехоустойчи-вости и сравнения геометрических размеров кристаллов СОЗУ для этих технологий. Рассмотрены конструк-тивные особенности построения многокристальных модулей памяти. Приведены результаты радиационных испытаний и исследований микросхемы СОЗУ. Ключевые слова: микросхема, радиационная устойчивость, модуль статической памяти Среда для подготовки программ функционального контроляК.К. Смирнов, М.Д. БубноваАннотация: Разработана специальная среда FTStudio (Functional Test Studio) для разработки программ функционального тестирования для оборудования Agilent 93000, Aehr MAX3B и др., которая позволяет существенно повысить уровень автоматизации процесса разработки и испытания микросхем. Функциональные возможности и гибкость данной среды по-зволяют: широко применять ее при проведении различных исследовательских работ, снизить трудоемкость подготовки программ тестирования и сократить время разработки исследовательских тестов. Данная среда также используется при проведении диагностики и периодической аттестации измерительного оборудования и позволяет существенно снизить время проведения периодической аттестации с обеспечением возможности 100% контроля параметров. Ключевые слова: программа, тестирование, микросхема Организация прослеживаемости предметов труда при проведении функционального контроля СБИСК.К. Смирнов, Е.Н. ЕфимовАннотация: В статье рассматриваются вопросы обеспечения прослеживаемости предметов труда при проведении функционального контроля СБИС в условиях производства. Для решения этой проблемы разработано специализированное про-граммное обеспечение, обеспечивающее прослеживаемость предметов труда, а так же осуществляющее обработку, анализ и представление результатов. Приведены примеры выполнения анализа результатов измерений, так же рассмотрено решение ряда специфичных для производства задач. Ключевые слова: СБИС, функциональный контроль, программное обеспечение, прослеживаемость предметов труда. Проблемы проведения контрольных испытаний высокосложных микросхем в условиях мелкосерийного производстваЕ.С. ТемниковАннотация: Рассмотрены производственные и технические проблемы проведения периодических испы-таний высокосложных микросхем в условиях единичного и мелкосерийного производства. Предложен новый подход к реализации принципов конструктивно-технологического подобия путем адресного подхода к от-дельным подгруппам испытаний, позволяющий резко сократить объемы испытаний при сохранении досто-верности оценок стабильности производственного процесса. Ключевые слова: микросхема, контрольное испытание, достоверная оценка стабильности Обеспечение одновременного выполнения НИОКР и выпуска СБИС на технологическом комплексе НИИСИ РАНН.Н. Калинина, В.Н. БалакиревАннотация: Рассматривается задача организации изготовления СБИС на технологическом комплексе НИИСИ РАН в условиях одновременного выполнения НИОКР и производства изделий, законченных разработ-кой. Описаны организационно-технические подходы, позволяющие обеспечить выполнение поставленной задачи в текущих условиях производства. Ключевые слова: НИОКР, производство СБИС, управление производственным процессом, планирование, система обращения документации, оптимизация II. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ И КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕСравнение расчетов распространения ударных волн в газах, выполненные по программам ENS и NUT_2DМ.Ж. Акжолов, О.А. Дмитриев, И.Г. Лебо, А.Г. МадераАннотация: Представлены результаты сравнения расчетов распространения ударных волн в газах, выполненные по программам "ENS" и "NUT_2D". Показано хорошее согласие результатов. Обсуждаются особенности и достоинства этих программ, разработанных по различным методикам. Ключевые слова: программа ENS, NUT_2D , ударные волны, газодинамика О численном решении уравнения "конвекция-диффузия" в двумерной постановке.И. Г. Лебо, А. И. СимаковАннотация: Создана программа "Cooler_2D" для численного решения уравнения "конвекция-диффузия" в двумерной постановке. Получено частное аналитическое решение и с его помощью проведено тестирование программы. Приведены результаты расчетов распространения тепла в подвижной среде. Ключевые слова: уравнение "конвекция-диффузия", программы, численные расчёты Анализ методов интерпретации индикаторных диаграмм для скважин с трещинами гидроразрыва пласта при забойном давлении ниже давления насыщения с помощью численного моделированияС.Г. Вольпин, А.В. Свалов, И.В. Афанаскин, Д.А. Корнаева, А.Р. СаитгареевАннотация: Рассматриваются различные уравнения притока флюида к добывающей скважине. С помощью численного гидродинамического моделирования симулируется исследование методом установившихся отборов вертикальной скважины и скважины с гидроразрывом пласта. Скважины работают при забойном давлении ниже давления насыщения нефти газом. По результатам моделирования строятся и интерпретируются индикаторные диаграммы. Оцениваются различные подходы к интерпретации таких индикаторных диаграмм. Ключевые слова: уравнения притока флюида, скважина Использование численного термогидродинамического моделирования для обоснования повышения технологической эффективности метода направленной закачки воздухаС. Г. Вольпин, Р.М. Кац, И.В. АфанаскинАннотация: Рассматривается математическая модель многофазной многокомпонентной неизотермической фильтрации с химическими реакциями для моделирования закачки воздуха в нефтяные пласты. С помощью численного термогидродинамического моделирования исследуется технологическая эффективность различных вариантов расстановки добывающих и нагнетательных скважин при разработке месторождений высоковязкой нефти методом направленной закачки воздуха. Рассматриваются новые варианты расстановки скважин, позволяющие повысить эффективность изучаемого метода разработки месторождений высоковязких нефтей. Ключевые слова: термодинамическое моделирование, нефтяные пласты, скважина Развитие методов гидродинамических исследований нефтяных пластов и скважинП.В. Крыганов, С.Г. Вольпин, А.В. Свалов, И.В. Афанаскин, Ю.М. ШтейнбергАннотация: Описываются задачи, решаемые с помощью гидродинамических исследований пластов и скважин в рамках информационного обеспечения при проектировании, гидродинамическом моделировании, контроле и управлении процессами разработки нефтяных месторождений. Представлено развитие методов гидродинамических исследований нефтяных пластов и скважин с момента их зарождения до настоящего времени. Рассмотрена перспектива их применения для реализации проекта "интеллектуальные скважины и месторождения", при котором необходимо создать программноаппаратный комплекс, включающий в себя постоянно-действующую геолого-термогидродинамическую модель месторождения, непрерывно обновляемую за счёт постоянного поступления новой информации о пласте и скважинах с использованием суперкомпьютерных технологий. Ключевые слова: гидродинамические исследования, нефтяные пласты и скважины, контроль и управление Некоторые аспекты совершенствования германиевых технологий КМОП ИСВ. А. ГорячевАннотация: Для совершенствования КНИ КМОП микропроцессоров с низкой мощностью рассмотрены некоторые особенности применения германия в элементах объемных ИС. Даётся представление об усовершенствованиях в технологических процессах создания наноконструкций нитевидных нанокристал-лов кремния с гетеропереходами Ge-Si. Делается вывод о возможности производства Ge-Si КМОП ИС, совместимого с совре менными технологиями микроэлектроники. Ключевые слова: германиевые технологии, процессоры, наноконструкции Численное решение уравнения Озейна, моделирующее обтекание кругового цилиндраА.В. Горшков, С.Б. РодинАннотация: В работе представлен результат моделирования внешнего потока, обтекающего круговой цилиндр. Дано описание численного решения внешней задачи Дирихле для уравнения Озейна в вихревой форме. Ключевые слова: уравнение Озеена, численные методы гидродинамики, вихревая дорожка Кармана, обтекание цилиндра, прямые методы вычислений, неявные разностные схемы III. ИЗ ИСТОРИИ НАУКИ И ТЕХНИКИК истории вычислительной математики и программирования: Николай Сергеевич БахваловВ.М.Тихомиров, В.Б.ДемидовичАннотация: Статья посвящена творчеству замечательного учёного, специалиста в области фундаментальной и прикладной математики, академика РАН, Николая Сергеевича Бахвалова (29.05.1934-29.08.2005). | |
Мини-фабрика | Публикации | Разработка СБИС | Услуги | Контакты
Copyright ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН © 2021
Любое копирование и воспроизведение текста, в том числе частичное, в том числе в любой форме без письменного разрешения ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН запрещено.
Цитирование текста разрешено с соответствующей ссылкой на ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН. |